Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 9.4 A TO-252

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RS Best.-Nr.:
257-9401
Herst. Teile-Nr.:
IRFR120NTRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Normen/Zulassungen

EIA-481, EIA-541

Automobilstandard

Nein

Die IRFR-Serie von Infineon ist ein 100-V-Einfach-N-Kanal-IR-Mosfet in einem D-Pak-Gehäuse. Die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie z. B. Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Industriestandard-Abmessungen für einfache Konstruktion erhältlich.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

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