Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 340 A TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 100 Stück)*

€ 223,70

(ohne MwSt.)

€ 268,40

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 900 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
100 - 100€ 2,237€ 223,70
200 - 400€ 2,125€ 212,50
500 +€ 1,991€ 199,10

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-9339
Herst. Teile-Nr.:
IRFB3004PBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

340A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRFB-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-IR-Mosfet in einem TO 220AB-Gehäuse. Die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Abmessungen nach Industriestandard für einfache Konstruktion erhältlich.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Durchgangsbohrungs-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Hochstromträgergehäuse

Verwandte Links