Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 95 A TO-220

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RS Best.-Nr.:
257-9285
Herst. Teile-Nr.:
IRF40B207
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

95A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.5mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem bleifreien TO 220AB-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern. Zu den Endanwendungen gehören schnurlose Stromversorgungs- und Gartenwerkzeuge, leichte Elektrofahrzeuge und E-Bikes, die ein hohes Maß an Robustheit und Energieeffizienz erfordern.

Hoher Nennstrom

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Durchgangsbohrungs-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

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