Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
260-5057
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF1404
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

202A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Breite

10.67 mm

Länge

16.51mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieser Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen.

Erweiterte Prozesstechnologie

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelles Schalten

Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig

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