Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 260-5057
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF1404
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 4,99
(ohne MwSt.)
€ 5,99
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 978 Einheit(en) mit Versand ab 27. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | € 4,99 |
| 5 - 9 | € 4,74 |
| 10 - 24 | € 4,64 |
| 25 - 49 | € 4,34 |
| 50 + | € 4,03 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-5057
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF1404
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 202A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16.51mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 202A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16.51mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieser Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen.
Erweiterte Prozesstechnologie
Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelles Schalten
Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin JEDEC TO-220AB
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 120 A TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 340 A TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 317 A TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 95 A TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 4-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 130 A TO-252