Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 202 A 333 W, 3-Pin TO-220

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 5,08

(ohne MwSt.)

€ 6,10

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 981 Einheit(en) mit Versand ab 05. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 4€ 5,08
5 - 9€ 4,83
10 - 24€ 4,72
25 - 49€ 4,42
50 +€ 4,11

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5057
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF1404
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

202A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

16.51mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

10.67 mm

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt. Dieser Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen.

Erweiterte Prozesstechnologie

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelles Schalten

Wiederholte Lawinen bis zu Tjmax zulässig

Verwandte Links