Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 340 A 380 W TO-220

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RS Best.-Nr.:
257-5552
Herst. Teile-Nr.:
IRFS3004TRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

340A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

380W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineons MOSFET verfügt über eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie eine vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA.

Verbesserte Body-Diode dV/dt und dI/dt Fähigkeit

Bleifrei

Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS

Unterbrechungsfreie Stromversorgung

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