Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 104 A 380 W, 3-Pin TO-220AB

RS Best.-Nr.:: 688-6932
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4115PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 104 A 380 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:: 688-6932
Herst. Teile-Nr.:: IRFB4115PBF
Hersteller:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	104 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Gehäusegröße	TO-220AB
Serie	HEXFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	11 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	380 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Länge	10.67mm
Breite	4.83mm
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	77 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	9.02mm

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