Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 130 A 330 W TO-220

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RS Best.-Nr.:
257-5556
Herst. Teile-Nr.:
IRFS4310TRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

130A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

170nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

330W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineons MOSFET verfügt über eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie eine vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA.

Hocheffiziente Synchrongleichrichtung

Bleifrei

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