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Infineon HEXFET N-Kanal MOSFET 150 V / 85 A 330 W TO-263

Name: Infineon HEXFET N-Kanal MOSFET 150 V / 85 A 330 W TO-263
Brand: Infineon
SKU: 257-9433
Availability: InStock

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	85A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	HEXFET
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	71nC
	Maximale Verlustleistung Pd	330W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 85A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie HEXFET
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC
	Maximale Verlustleistung Pd 330W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Die IRFS-Serie von Infineon ist das 150-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Optimiert für 10-V-Gate-Antriebsspannung (sog. Normalpegel)

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Hochstromträgergehäuse (bis zu 195 A, je nach Matrizengröße)

Kann wellenförmig gelötet werden

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