Infineon HEXFET N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 33 A 144 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 257-5867
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR4615TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 42mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 144W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 42mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 144W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der HEXFET-Serie von Infineon, 150 V maximale Drain-Source-Spannung, 33 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFR4615TRLPBF
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor, der für die Leiterplattenmontage in Leistungsschaltfunktionen entwickelt wurde. Er verarbeitet erheblichen Gleichstrom bei Betrieb in einem breiten Umgebungstemperaturbereich und eignet sich für Bereiche, in denen eine kontrollierte Gate-Ansteuerung und ein thermisches Management erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Rds(on) von 42 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 150 V Vds ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 33 A Dauerstrom unterstützt schwere Lasten
• Die Verlustleistung von 144 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb
• 26 nC Gate-Ladung ermöglicht reaktionsschnelles Schalten
• 150 V Vds ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 33 A Dauerstrom unterstützt schwere Lasten
• Die Verlustleistung von 144 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb
• 26 nC Gate-Ladung ermöglicht reaktionsschnelles Schalten
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler
• Ideal für die Leistungsschaltung in Wechselrichtern
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für Telekommunikations-Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für industrielle Strommanagementmodule
• Ideal für die Leistungsschaltung in Wechselrichtern
• Wird mit Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für Telekommunikations-Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für industrielle Strommanagementmodule
Welche Gate-Treiber-Grenzwerte müssen beachtet werden?
Die Gate-to-Source-Bewertung beträgt ±20 V, sodass die Gate-Antriebsamplituden innerhalb dieses Bereichs bleiben müssen, um Schäden zu vermeiden.
Wie wirkt sich die thermische Leistung auf die Montageentscheidungen aus?
Mit einer Verlustleistung von 144 W sind effektive Leiterplatten-Kupferflächen oder Kühlkörper erforderlich, um die Sperrschichttemperaturen bei Dauerbelastung zu bewältigen.
Welche extremen Temperaturen kann das Gerät tolerieren?
Er arbeitet in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht so den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.
Ist diese Komponente für die Qualifizierung im Automobilbereich geeignet?
Es ist nicht als Automotive-Güte angegeben
Die Konformität ist nur RoHS-konform.
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