Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 200 V / 76 A 375 W TO-220

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RS Best.-Nr.:
257-5807
Herst. Teile-Nr.:
IRFB4127PBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

76A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Leiterplattenmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Stromversorgung per Durchgangsbohrung nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für nachfolgende Schaltanwendungen <100 kHz

Weichere Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Breitgefächertes Angebot

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