Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 200 V / 76 A 375 W TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 257-5807
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4127PBF
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 6,53
(ohne MwSt.)
€ 7,836
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 942 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,265 | € 6,53 |
| 20 - 48 | € 2,84 | € 5,68 |
| 50 - 98 | € 2,645 | € 5,29 |
| 100 - 198 | € 2,445 | € 4,89 |
| 200 + | € 2,285 | € 4,57 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5807
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4127PBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 76A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 76A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Stromversorgung per Durchgangsbohrung nach Industriestandard
Hoher Nennstrom
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für nachfolgende Schaltanwendungen <100 kHz
Weichere Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation
Breitgefächertes Angebot
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 200 V / 76 A 375 W TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 40 V / 375 A DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 60 V / 195 A TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 180 A TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 75 V / 120 A 200 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 150 V / 33 A 144 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 88 A 200 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 72 A 375 W TO-262