Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 40 V / 375 A DirectFET
- RS Best.-Nr.:
- 257-5564
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL7472L1TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*
€ 7.488,00
(ohne MwSt.)
€ 8.984,00
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 4000 + | € 1,872 | € 7.488,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5564
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL7472L1TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 375A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | DirectFET | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.4mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 375A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße DirectFET | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.4mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.
Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Hochstromfähigkeit
Beidseitige Kühlbarkeit
Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm
Gehäuse mit geringer parasitärer Induktivität (1-2 nH)
100 % bleifrei (keine RoHS-Ausnahme)
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 40 V / 375 A DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 200 V / 76 A 375 W TO-220
- Infineon DirectFET Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 375 A 125 W, 15-Pin DirectFET
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 180 A TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 75 V / 120 A 200 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 60 V / 195 A TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 150 V / 33 A 144 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 88 A 200 W TO-263