Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 265 A 156 W PQFN

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*

€ 2.664,00

(ohne MwSt.)

€ 3.196,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 29. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
4000 +€ 0,666€ 2.664,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-5529
Herst. Teile-Nr.:
IRFH7084TRPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

265A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.25mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

127nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

5 mm

Länge

6mm

Höhe

1.05mm

Automobilstandard

Nein

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Leistungsgehäuse nach Industriestandard für Oberflächenmontage

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten

Weicherer Diodenkörper im Vergleich zur vorherigen Siliziumgeneration

Breites Portfolio verfügbar

Verwandte Links