Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 44 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 168-5987
Herst. Teile-Nr.:: IRFH5015TRPBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 44 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 x 6

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RS Best.-Nr.:: 168-5987
Herst. Teile-Nr.:: IRFH5015TRPBF
Hersteller:: Infineon

IRFH5015PbF, HEXFET Power MOSFET 150V
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	44 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	PQFN 5 x 6
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	31 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	156 W
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	36 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	5mm
Länge	6mm
Diodendurchschlagsspannung	1.3V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	0.85mm

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 44 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 x 6

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon

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