Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 44 A 156 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
168-5987
Herst. Teile-Nr.:
IRFH5015TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

31mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.85mm

Breite

5 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon


Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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