Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 44 A 3.2 W, 8-Pin PQFN

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217-2615
Herst. Teile-Nr.:
IRFH8334TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

44A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

13.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.1nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

3.2W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.17mm

Länge

6.02mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

4.98 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 30-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem 5-mm-x-6-mm-PQFN-Gehäuse.

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

Optimiert für 5-V-Gate-Ansteuerspannung (Logikebene genannt)

SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

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