Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 8.9 A PowerPAIR 3 x 3 S.

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 6,96

(ohne MwSt.)

€ 8,35

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2 975 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 1,392€ 6,96
50 - 95€ 1,346€ 6,73
100 - 245€ 1,14€ 5,70
250 - 995€ 1,116€ 5,58
1000 +€ 0,818€ 4,09

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
256-7437
Herst. Teile-Nr.:
SIZ260DT-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAIR 3 x 3 S.

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0149Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Zweifach-N-Kanal 80 V (D-S) von Vishay Semiconductor verbessert seine optimierten Qgs, das Qgs-Verhältnis verbessert die Schaltereigenschaften und Anwendungen POL, synchroner Abwärtswandler, Telekommunikation DC, DC, Resonanzwandler, Motorantriebssteuerung.

TrenchFET gen IV Leistungs-MOSFETs

100 % Rg- und UIS-geprüft

Integrierte MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe

Verwandte Links