Vishay SIZ260DT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 8.9 A 33 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.
- RS Best.-Nr.:
- 256-7436
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZ260DT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
€ 1.497,00
(ohne MwSt.)
€ 1.797,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 26. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | € 0,499 | € 1.497,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7436
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZ260DT-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | SIZ260DT | |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 3 x 3 S. | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0247Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 3.3mm | |
| Breite | 3.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie SIZ260DT | ||
Gehäusegröße PowerPAIR 3 x 3 S. | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0247Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 3.3mm | ||
Breite 3.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie SIZ260DT von Vishay, 80 V Drain-Source-Spannung, 8,9 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIZ260DT-T1-GE3
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagement in industriellen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet bei erhöhten Temperaturen und unterstützt mäßige Dauerstromstärken, womit es für kompakte Baugruppen geeignet ist, bei denen thermische Widerstandsfähigkeit und Spannungsbeständigkeit erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 80 V ermöglicht den Einsatz in Mittelspannungsschaltungen
• 8,9 A Dauerstrom ermöglicht eine dauerhafte Lastansteuerung
• 0,0247 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste
• 6,3 nC typische Gate-Ladung unterstützt schnelles Schalten
• Die Verlustleistung von 33 W ermöglicht eine höhere Leistungsaufnahme
• Gate-Toleranz ±20 V für unterschiedliche Gate-Treiber-Bereiche
• 8,9 A Dauerstrom ermöglicht eine dauerhafte Lastansteuerung
• 0,0247 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste
• 6,3 nC typische Gate-Ladung unterstützt schnelles Schalten
• Die Verlustleistung von 33 W ermöglicht eine höhere Leistungsaufnahme
• Gate-Toleranz ±20 V für unterschiedliche Gate-Treiber-Bereiche
Anwendungen
• Geeignet für DC/DC-Wandler in Automatisierungsgeräten
• Ideal für Motor-Treiber-Stufen in industriellen Antrieben
• Wird für die Leistungsschaltung in Steuermodulen verwendet
• Kann für Lastschaltvorgänge im Batteriemanagement verwendet werden
• Geeignet für kompakte SMD-Stromversorgungen in elektrischen Systemen
• Ideal für Motor-Treiber-Stufen in industriellen Antrieben
• Wird für die Leistungsschaltung in Steuermodulen verwendet
• Kann für Lastschaltvorgänge im Batteriemanagement verwendet werden
• Geeignet für kompakte SMD-Stromversorgungen in elektrischen Systemen
Welchen Temperatur extremen Temperaturen kann er während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu +150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen thermischen Schwankungen.
Wie wirkt sich die Gehäuseform auf das Leiterplatten-Layout aus?
Das PowerPAIR 3x3S SMD-Gehäuse mit acht Stiften konzentriert Leistungs- und Signalstifte für kurze thermische Wege und ein einfaches Thermopad-Design.
Ist dieses Gerät für Automobilanwendungen geeignet?
Es ist nicht spezifiziert, dass es den Normen für die Automobilindustrie entspricht, sodass es nicht ausgewählt werden sollte, wenn eine formelle Zulassung für die Automobilindustrie erforderlich ist.
Was sind die Vorteile der Pinzahl des Geräts für das Schaltungsdesign?
Die achtpolige Anordnung trennt Gate- und Quellenverbindungen von den Strompfaden, was die Gate-Drive-Routing und das Wärmemanagement vereinfacht.
Verwandte Links
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 8.9 A PowerPAIR 3 x 3 S.
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.
- Vishay Doppelt SiZ270DT Typ N-Kanal 2 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.
- Vishay Doppelt TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.
- Vishay Doppelt SiZ340ADT Typ N-Kanal 2 9-Pin PowerPAIR 3 x 3
- Vishay Doppelt TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 FDC