Vishay Doppelt SiZ270DT Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 19.1 A 33 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

€ 16,36

(ohne MwSt.)

€ 19,64

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 04. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 80€ 0,818€ 16,36
100 - 180€ 0,696€ 13,92
200 - 480€ 0,573€ 11,46
500 - 980€ 0,55€ 11,00
1000 +€ 0,537€ 10,74

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
204-7264
Herst. Teile-Nr.:
SIZ270DT-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

SiZ270DT

Gehäusegröße

PowerPAIR 3 x 3 S.

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0377Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

33W

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.3 mm

Höhe

0.75mm

Länge

3.3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Die Vishay Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFETs sind eine integrierte MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe und haben ein optimiertes QGS/QGS-Verhältnis, das die Schalteigenschaften verbessert.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Verwandte Links