Vishay Doppelt TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 48 A 33 W, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 S.

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RS Best.-Nr.:
200-6853
Herst. Teile-Nr.:
SiZ240DT-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

48A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerPAIR 3 x 3 S.

Serie

TrenchFET Gen IV

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00805Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

33W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15.2nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.4mm

Höhe

0.8mm

Breite

3.4 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Die Vishay SIZ240DT-T1-GE3 ist ein zweifach-N-Kanal-40-V-(D-S)-MOSFETs.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Integrierte MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe

100 % Rg- und UIS-getestet

Optimiertes QGS/QGS-Verhältnis verbessert die Schalteigenschaften

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