Vishay IRFPG30 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET 1000 V / 3.1 A 125 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 256-7301
Herst. Teile-Nr.:: IRFPG30PBF
Hersteller:: Vishay

Vishay IRFPG30 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET 1000 V / 3.1 A 125 W, 3-Pin TO-247AC

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	1000V
	Gehäusegröße	TO-247AC
	Serie	IRFPG30
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	5Ω
	Durchlassspannung Vf	1.8V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	125W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Höhe	5.21mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 1000V
	Gehäusegröße TO-247AC
	Serie IRFPG30
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω
	Durchlassspannung Vf 1.8V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 125W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Höhe 5.21mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Leistungs-MOSFET der Serie IRFPG30 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 1000 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 3,1 A – IRFPG30PBF

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für die Durchsteckmontage in Industrie- und Leistungsumwandlungskontexten entwickelt wurde. Er bewältigt anspruchsvolle thermische Umgebungen und ist für Schaltkreise vorgesehen, die eine hohe Spannungsfestigkeit und einen moderaten Gleichstrom erfordern, wobei ein TO-247AC-Gehäuse mit Durchgangsbohrung und eine robuste Verlustleistung von Vorteil sind.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Drain-Source-Spannung von 1000 V ermöglicht Hochspannungs-Schaltanwendungen • Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme unter Last • 3,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine moderate Stromversorgung • Der maximale Widerstand im eingeschalteten Zustand von 5 Ω minimiert die Leitungsverluste bei niedrigem Gate-Antrieb • 80 nC typische Gate-Ladung erleichtert vorhersehbares Schaltverhalten • Temperaturbereich von ±150 °C/-55 °C unterstützt breite Betriebsumgebungen

Anwendungen

• Geeignet für industrielle Hochspannungswechselrichterstufen • Ideal für Schaltnetzteile, die eine Durchsteckmontage erfordern • Wird für Motorschutzschaltungen mit hohen Spannungsabweichungen verwendet • Kann für die Prototypenentwicklung von Stromkreisen an Universitäten und Werkstätten verwendet werden • Wird mit Gate-Treibern in Hochspannungsschaltbaugruppen verwendet

Welche Überlegungen sollten bei Gate-Antrieben berücksichtigt werden?

Erwarten Sie eine typische Gate-Ladung von 80 nC bei der Nenn-Gate-Spannung. Wählen Sie daher einen Treiber aus, der ausreichend Strom liefern und ableiten kann, um die gewünschten Schaltgeschwindigkeiten zu erfüllen und Schaltverluste zu steuern.

Wie sollte das Wärmemanagement für dieses Gerät angegangen werden?

Das Gerät kann bis zu 125 W ableiten

einen geeigneten Kühlkörper verwenden und die Integrität des thermischen Weges aus dem TO-247AC-Gehäuse sicherstellen, um die Sperrschichttemperatur während des Dauerbetriebs innerhalb der Grenzen zu halten.

Was sind die Umgebungsgrenzen für den Betrieb des Geräts?

Es ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu +150 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz über einen breiten Temperaturbereich in industriellen Umgebungen.

Welches mechanische Befestigungs- und Anschlussformat verwendet er?

Es wird in einem TO-247AC-Gehäuse mit Durchgangsbohrung mit drei Stiften geliefert, das für die Befestigung von Kühlkörpern mit Schrauben und zuverlässige Lötplattenanschlüsse geeignet ist.