Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 200 V / 17 A 125 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
256-7326
Herst. Teile-Nr.:
IRL640PBF
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.028Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

±10 V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

66nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.65mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFET der dritten Generation von Vishay Semiconductor bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle gewerblichen und industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220AB-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Branche bei.

Dynamische dV/dt-Nennleistung

Wiederholbare Lawinenbeständigkeit

Gate-Antrieb auf Logik-Ebene

Schnelles Schalten

Einfache Parallelstellung

Einfache Antriebsanforderungen

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