STMicroelectronics Einfach STripFET N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 200 V Erweiterung / 75 A 190 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 168-7583
- Herst. Teile-Nr.:
- STP75NF20
- Hersteller:
- STMicroelectronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Serie | STripFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 200 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 75 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 190 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Höhe | 15.75 mm | |
| Länge | 10.4 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 34 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V, -20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -50 °C | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Serie STripFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 200 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 75 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 190 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Höhe 15.75 mm | ||
Länge 10.4 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 34 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V, -20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -50 °C | ||
Breite 4.6 mm | ||
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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