Vishay IRF630 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET 200 V / 5.9 A 74 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 256-7274
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF630PBF
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF630 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.4Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 74W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43nC | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 4.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF630 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.4Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 74W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43nC | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 4.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRF630 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 200 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 5,9 A – IRF630PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Durchsteck-N-Kanal-Transistor, der für das Schalten und Verstärken in industriellen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet mit hoher Spannung und eignet sich für Anwendungen, bei denen eine hohe Leistungsaufnahme und thermische Beständigkeit erforderlich sind. Das Gerät ist in einem TO-220AB-Gehäuse untergebracht und für die Integration in herkömmliche Leiterplattenmontage-Baugruppen vorgesehen.
Merkmale und Vorteile:
• 200 V Drain-Source-Nennwert ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 5,9 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhafte Lasthandhabung • 0,4 Ω Rds(on) reduzieren Leitungsverluste unter Last • 74 W Verlustleistung ermöglicht eine erhöhte Leistungsübertragung • 43 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbare Antriebsanforderungen • Ausgelegt bis zu +150 °C für erweiterten Temperaturbetrieb
Anwendungen
• Geeignet für Schaltnetzteile, die Hochspannungstransistoren erfordern • Ideal für Motorsteuerungsstufen in industriellen Automatisierungsanlagen • Verwendet für Hochspannungsrelais und Halbleiterschaltmodule • Kann für Prototypen und Reparaturen in Durchsteckkonstruktionen verwendet werden • Wird mit diskreten Verstärkerschaltungen verwendet, die eine erhebliche Leistungsaufnahme erfordern
Welche Gate-Drive-Beschränkungen sollte ich beim Schalten berücksichtigen?
Das Gate muss bis zu 10 V zwischen Gate und Quelle tolerieren
Entwickeln Sie den Treiber so, dass er genügend Ladung für die typische Gate-Ladung von 43 nC liefert, um die gewünschte Schaltgeschwindigkeit zu erreichen.
Wie sollte das Wärmemanagement bei dieser Komponente angegangen werden?
Montieren Sie das Gehäuse auf einen Kühlkörper oder stellen Sie sicher, dass das Leiterplatten-Kupfer und der Luftstrom ausreichend sind, um bis zu 74 W zu verteilen, und berücksichtigen Sie die maximale Nennleistung der Verbindung bei der Berechnung des thermischen Widerstands.
Welches Montage- und Anschlussformat erfordert es?
Es handelt sich um ein Durchsteckvorrichtung mit drei Stiften in einem TO-220AB-Gehäuse, die mit Standard-Durchsteckbuchsen und Kühlkörperbefestigungsmethoden kompatibel ist.
Welcher Umgebungstemperaturbereich wird während des Betriebs unterstützt?
Es ist für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu +150 °C spezifiziert und ermöglicht den Einsatz in einer Vielzahl von Umgebungsbedingungen.
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