Vishay IRFBE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 900 V / 1.7 A 54 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
178-0843
Herst. Teile-Nr.:
IRFBF20PBF
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

900V

Serie

IRFBE

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

54W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC

Länge

10.41mm

Höhe

9.01mm

Breite

4.7 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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