Vishay IRF740A N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 400 V / 10 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 542-9399
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF740APBF
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 400V | |
| Serie | IRF740A | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 550mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.41mm | |
| Breite | 4.7mm | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 400V | ||
Serie IRF740A | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 550mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.41mm | ||
Breite 4.7mm | ||
Höhe 9.01mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRF740A von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 400 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 10 A – IRF740APBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für Schaltfunktionen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem TO-220AB-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für Kühlkörper und eine einfache Montage geeignet ist. Das Gerät ist RoHS-konform und für die Schaltung im Enhancement-Modus in Schaltkreisen ausgelegt, die eine hohe Spannungsbelastbarkeit erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 400 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 10 A kontinuierlicher Ablassstrom für eine gleichmäßige Stromversorgung
• Maximale Verlustleistung von 125 W unterstützt den Betrieb bei höherer Last
• 550 mΩ RDS(on) ermöglichen vorhersehbare Leitungsverluste
• 36 nC typische Gate-Ladung für handhabbare Gate-Ansteuerung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 30 V schützt vor Überantrieb
• 10 A kontinuierlicher Ablassstrom für eine gleichmäßige Stromversorgung
• Maximale Verlustleistung von 125 W unterstützt den Betrieb bei höherer Last
• 550 mΩ RDS(on) ermöglichen vorhersehbare Leitungsverluste
• 36 nC typische Gate-Ladung für handhabbare Gate-Ansteuerung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 30 V schützt vor Überantrieb
Anwendungen
• Geeignet für Offline-Stromversorgungen und -Wandler
• Ideal für Schaltstufen von Motorantrieben
• Wird mit Wechselrichterkreisen verwendet, die eine hohe Spannung erfordern
• Kann für industrielle Schaltregler verwendet werden
• Geeignet für Durchsteck-Prototyping- und Reparaturarbeiten
• Ideal für Schaltstufen von Motorantrieben
• Wird mit Wechselrichterkreisen verwendet, die eine hohe Spannung erfordern
• Kann für industrielle Schaltregler verwendet werden
• Geeignet für Durchsteck-Prototyping- und Reparaturarbeiten
Was sind die thermischen Grenzwerte für einen zuverlässigen Betrieb?
Das Gerät ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen thermischen Umgebungen, wenn es mit ausreichender Kühlung gekoppelt wird.
Wie hilft das Gehäuse beim Wärmemanagement?
Das Durchsteckformat des TO-220AB ermöglicht die Befestigung an einem Kühlkörper und bietet einen Weg mit geringem Wärmewiderstand für die Ableitung von bis zu 125 W unter bestimmten Bedingungen.
Welche Gate-Antriebsaspekte gelten für schnelle Schaltvorgänge?
Bei einer typischen Gate-Ladung von 36 nC sollte die Treiberauswahl der gewünschten Schaltgeschwindigkeit entsprechen und die Schaltverluste sowie den verfügbaren Antriebsstrom berücksichtigen.
Wie sollte die Durchlassspannung in den Konstruktionsberechnungen behandelt werden?
Eine Durchlassspannung von 2 V sollte bei der Schätzung von Leitungsverlusten und Spannungsabfällen in Schaltkreisen, die auf das Verhalten von Body-Dioden oder synchrones Schalten angewiesen sind, berücksichtigt werden.
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