Vishay IRFBE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 1.8 A 54 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
542-9535
Herst. Teile-Nr.:
IRFBE20PBF
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

IRFBE

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

54W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.7 mm

Länge

10.41mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.01mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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