Vishay IRFBE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 900 V / 3.6 A 125 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
178-0844
Herst. Teile-Nr.:
IRFBF30PBF
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

900V

Serie

IRFBE

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.7Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Durchlassspannung Vf

1.5V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

78nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC

Länge

10.41mm

Breite

4.7 mm

Höhe

9.01mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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