Vishay IRFBE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4.1 A 125 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
541-1124P
Herst. Teile-Nr.:
IRFBE30PBF
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IRFBE

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

78nC

Durchlassspannung Vf

1.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.41mm

Höhe

9.01mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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