Vishay IRFBE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4.1 A 125 W, 3-Pin TO-220

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein N-Kanal-Durchgangslochtransistor, der für das Schalten und die Leistungssteuerung in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Mode-Gerät, das für Hochspannungsanwendungen geeignet ist und eine Kombination aus Spannungsverarbeitung und Gate-Drive-Fähigkeit für anspruchsvolle elektrische Systeme bietet.

• Die Drain-Source-Spannung von 800 V ermöglicht Hochspannungs-Schaltanwendungen • 4,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme • 3 Ω maximaler Rds reduziert den Stromverlust während der Leitung • 78 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten • Die Verlustleistung von 125 W bewältigt thermische Belastungen in Stromkreisen • Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C hält einem breiten Temperaturbereich stand

• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler • Ideal für industrielle Motorantriebsschaltstufen • Verwendet für Halbleiterrelais und Schutzschaltkreise • Kann für Lastschaltvorgänge in Automationsschalttafeln verwendet werden

Der Gate-Antrieb muss innerhalb von maximal ±20 V in Bezug auf die Quelle bleiben, um Gate-Oxid-Bestressung zu vermeiden.

Verwenden Sie einen Kühlkörper auf dem TO‐220AB-Gehäuse oder eine thermisch leitfähige Montagelösung, um bis zu 125 W Leistung unter Nennbedingungen zu verteilen.

Die typische Gate-Ladung von 78 nC am spezifizierten Gate-Antrieb beeinflusst Anstiegs- und Abfallzeiten und wirkt sich auf Schaltübergänge und elektromagnetische Emissionen aus.

Er wird in einem TO‐220AB-Durchgangsbohrungsgehäuse geliefert, das für die mechanische Montage und die herkömmliche Durchgangsbohrungsmontage vorgesehen ist.