Vishay SiHU4N80AE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4.1 A 62.5 W, 3-Pin IPAK

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RS Best.-Nr.:
188-4943
Herst. Teile-Nr.:
SIHU4N80AE-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

IPAK

Serie

SiHU4N80AE

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.44Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.38 mm

Länge

6.73mm

Höhe

6.22mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie E

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Ciss)

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

ANWENDUNGEN

Server- und Telekommunikations-Netzteile

Schaltnetzteile (SNT)

Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

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