Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 188-4982
Herst. Teile-Nr.:: SIHD2N80AE-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Herst. Teile-Nr.:: SIHD2N80AE-GE3
Hersteller:: Vishay

Datasheet SIHD2N80AE-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	2,9 A
Drain-Source-Spannung max.	800 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	2,9 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	62,5 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Länge	6.73mm
Breite	6.22mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	7 nC @ 10 V
Höhe	2.25mm
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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