Vishay SiHU5N80AE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 204-7229
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHU5N80AE-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 204-7229
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHU5N80AE-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | SiHU5N80AE | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.35Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie SiHU5N80AE | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.35Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie hat einen Ron x Qg mit niedrigem Leistungswert (FOM) und eine niedrige Eingangskapazität (Ciss).
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