Vishay IRF620 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 200 V / 5.2 A 50 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
543-0052
Distrelec-Artikelnummer:
171-15-009
Herst. Teile-Nr.:
IRF620PBF
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

JEDEC TO-220AB

Serie

IRF620

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

9.01mm

Normen/Zulassungen

RoHS 2002/95/EC

Länge

10.41mm

Breite

4.7mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie IRF620 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 200 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 5,2 A – IRF620PBF


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät mit Durchgangsbohrung, das für Hochspannungsschaltungen in industriellen und elektronischen Steuerungssystemen entwickelt wurde. Es bietet eine praktische Lösung für Schalt- und Verstärkungsaufgaben, bei denen moderater Strom und erhebliche Spannungstoleranz erforderlich sind, und wird in einem TO-220AB-Gehäuse geliefert, das für herkömmliche Kühlkörper geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:


• Die Nennleistung von 200 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 5,2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 0,8 Ω Rds(on) liefert vorhersehbare Leitungsverluste für die thermische Planung
• Die Verlustleistung von 50 W ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit einem Kühlkörper
• 14 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effizientes Gate-Drive-Design
• Gate-Source-Beständigkeit bis zu 20 V schützt vor Überladung während der Steuerung

Anwendungen


• Geeignet für Motortreiberstufen in Automatisierungsanlagen
• Ideal für Schaltnetzteile, die mit Zwischenspannungen umgehen
• Wird für die Halbleiterschaltung von Relais-Ersatz in Schalttafeln verwendet
• Kann für Laborstromprojekte verwendet werden, die eine Durchsteckmontage erfordern
• Wird mit Wärmeleitbaugruppen für die industrielle Stromumwandlung verwendet

In welchem Temperaturbereich kann er für den industriellen Einsatz betrieben werden?


Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich von -55 °C bis 150 °C und ermöglicht den Einsatz in Kaltstarts und Gehäusen mit erhöhter Temperatur.

Wie viele Stifte und welche Montageart sind auf einer Platine erforderlich?


Er verfügt über drei elektrische Anschlüsse und ist für die Durchsteckmontage in beschichtete Leiterplattenbohrungen vorgesehen.

Welche Überlegungen sollten beim Gate-Antrieb für einen sicheren Betrieb berücksichtigt werden?


Antriebsschaltkreise müssen die Gate-Exkursion innerhalb eines Gate-Source-Fensters von ±20 V begrenzen und die typische Ladung von 14 nC bei der Dimensionierung des Treiberstroms und der Schaltgeschwindigkeit berücksichtigen.

Welche mechanischen Gehäuseabmessungen beeinflussen die Panel-Integration?


Das Gerät wird in einem TO-220AB-Formfaktor mit kompakten Abmessungen geliefert, der für Standard-Kühlkörperclips und Befestigungsteile geeignet ist.

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