IXYS Einfach HiperFET, Q3-Class N-Kanal 1, Schraubanschlussklemme MOSFET 1 kV Erweiterung / 38 A 960 W, 4-Pin SOT-227
- RS Best.-Nr.:
- 168-4755
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN44N100Q3
- Hersteller:
- IXYS
Derzeit nicht erhältlich
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- IXYS
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 1 kV | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 38 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 960 W | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Gehäusegröße | SOT-227 | |
| Höhe | 9.6 mm | |
| Länge | 38.23 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 220 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 30 V, -30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 25.07 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 1 kV | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 38 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 960 W | ||
Pinanzahl 4 | ||
Gehäusegröße SOT-227 | ||
Höhe 9.6 mm | ||
Länge 38.23 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 220 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 30 V, -30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 25.07 mm | ||
- Ursprungsland:
- US
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
Fast intrinsic rectifier diode
Low RDS(on) and QG (gate charge)
Low intrinsic gate resistance
Industry standard packages
Low package inductance
High power density
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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