IXYS Einfach HiperFET, Q3-Class N-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 600 V Erweiterung / 82 A 1.56 kW, 3-Pin PLUS264
- RS Best.-Nr.:
- 168-4696
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFB82N60Q3
- Hersteller:
- IXYS
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 82A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | PLUS264 | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.56kW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30, +30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Breite | 5.31mm | |
| Höhe | 26.59mm | |
| Länge | 20.29mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
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|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 82A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße PLUS264 | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.56kW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30, +30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Breite 5.31mm | ||
Höhe 26.59mm | ||
Länge 20.29mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- US
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Serie IXYS HiperFETTM Q3
Die IXYS Q3-Klasse von HiperFETTM-Leistungs-MOSFETs eignen sich sowohl für Hard Switching- als auch für Resonanzmodusanwendungen und bieten eine niedrige Gate-Ladung mit außergewöhnlicher Robustheit. Die Geräte verfügen über eine schnelle intrinsische Diode und sind in einer Vielzahl von Gehäusen nach Industriestandard erhältlich, einschließlich isolierter Typen, mit Nennspannungen von bis zu 1100 V und 70 A. Typische Anwendungen umfassen DC/DC-Wandler, Akkuladegeräte, Schalt- und Resonanz-Netzteile, DC-Schalter, Temperatur- und Beleuchtungssteuerung.
Schnelle intrinsische Gleichrichterdiode
Niedriger RDS(on) und QG (Gate-Ladung)
Geringer intrinsischer Gate-Widerstand
Gehäuse nach Industriestandard
Geringe Gehäuseinduktivität
Hohe Leistungsdichte
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine breite Palette von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS
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