IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 14 A 300 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 168-4483
Herst. Teile-Nr.:: IXFH14N60P
Hersteller:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 14 A 300 W, 3-Pin TO-247

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Herst. Teile-Nr.:: IXFH14N60P
Hersteller:: IXYS

IXFH 14N60P PolarHV HiPerFET Power MOSFETs Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	14 A
Drain-Source-Spannung max.	600 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	HiperFET, Polar
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	550 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5.5V
Verlustleistung max.	300 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	5.3mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	16.26mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	38 nC @ 10 V
Höhe	21.46mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 14 A 300 W, 3-Pin TO-247

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™

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