Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 245 A 214 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- RS Best.-Nr.:
- 252-0316
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJQ186E-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 245A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Gehäusegröße | PowerPAK (8x8L) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0014mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Länge | 6.15mm | |
| Höhe | 1.9mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 245A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Gehäusegröße PowerPAK (8x8L) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0014mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Länge 6.15mm | ||
Höhe 1.9mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die MOSFETs von Vishay für den Automobilbereich werden in einem speziellen Prozessablauf hergestellt, um eine hohe Robustheit zu gewährleisten. Die nach AEC-Q101 qualifizierte SQ-Serie von Vishay Siliconix ist für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C ausgelegt und verfügt über n- und p-Kanal-Trench-FET-Technologien mit niedrigem Durchlasswiderstand in blei- und halogenfreien SO-Gehäusen.
TrenchFET Gen IV Leistungs-MOSFET
AEC-Q101 qualifiziert
100 % Rg und UIS getestet
Dünne 1,9 mm Höhe
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