Infineon Zweifach N BSD840N Typ N-Kanal 2, SMD OptiMOSTM2 Kleinsignaltransistoren 20 V Zweifach N / 880 mA 400 mW, 6-Pin

RS Best.-Nr.:: 250-0525
Herst. Teile-Nr.:: BSD840NH6327XTSA1
Hersteller:: Infineon

Infineon Zweifach N BSD840N Typ N-Kanal 2, SMD OptiMOSTM2 Kleinsignaltransistoren 20 V Zweifach N / 880 mA 400 mW, 6-Pin

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

€ 279,00

(ohne MwSt.)

€ 336,00

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

Vorübergehend ausverkauft

9 000 Einheit(en) mit Versand ab 18. Februar 2027

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
3000 +	€ 0,093	€ 279,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 250-0525
Herst. Teile-Nr.:: BSD840NH6327XTSA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	OptiMOSTM2 Kleinsignaltransistoren
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	880mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	US
	Serie	BSD840N
	Montageart	SMD
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	400mΩ
	Channel-Modus	Zweifach N
	Maximale Verlustleistung Pd	400mW
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	0.26nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	750mV
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	Zweifach N
	Normen/Zulassungen	IEC61249-2-21, RoHS
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ OptiMOSTM2 Kleinsignaltransistoren
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 880mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße US
	Serie BSD840N
	Montageart SMD
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 400mΩ
	Channel-Modus Zweifach N
	Maximale Verlustleistung Pd 400mW
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.26nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 750mV
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration Zweifach N
	Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - BSD840NH6327XTSA1

Kleinsignal-Transistoren der Serie BSD840N OptiMOSTM2 von Infineon, 20 V Drain-Source-Spannung, 0,88 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSD840NH6327XTSA1

Dieses Kleinsignal-Transistor-Gerät optimostm2 ist ein Dual-N-Kanal-MOSFET, der für kompakte Signalverarbeitungs- und Schaltaufgaben in Umgebungen in Automobilqualität entwickelt wurde. Er arbeitet mit niedriger Gate-Spannung und bietet ein Gleichgewicht zwischen Einschaltwiderstand und Strombelastbarkeit für Steuerkreise in beengten Layouts. Das Gehäuse und die Konstruktion eignen sich für die Implementierung auf Board-Ebene, wo thermische Beständigkeit und vorgeschriebene Materialstandards erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• 400 mΩ Rds reduzieren Leitungsverluste für Schaltvorgänge mit geringem Stromverbrauch
• Maximale Gate-Schwelle von 0,75 V ermöglicht Kompatibilität mit Niederspannungsantrieben
• Gate-Ladung von 0,26 nC minimiert den Schaltenergie- und Antriebsbedarf
• 0,88 A Dauerstrom unterstützt zuverlässig bescheidene Lastströme
• Die maximale Temperatur von 150 °C ermöglicht den Betrieb bei hohen Temperaturen

Anwendungsbereich

• Geeignet für die Schaltung von Zweikanal-Signalen in der Automobilelektronik
• Ideal für Niederspannungs-Gate-Drive-Stromverwaltungsschaltkreise
• Verwendung mit kompakten Board-Layouts, die ein SOT-363-Gehäuse erfordern
• Kann zum Schalten von Sensorschnittstellen in rauen Umgebungen verwendet werden
• Wird für Dual-MOSFET-Anordnungen in Steuermodulen verwendet

Welche Gehäusetypen werden für kompakte Designs verwendet?

Er wird in einem SOT-363-Gehäuse mit sechs Stiften geliefert, das für die dichte Platzierung von Leiterplatten geeignet ist.

Welchen Automobilstandard erfüllt er für die Qualifizierung?

Er erfüllt einen Qualifizierungsstandard für Automobilkomponenten, der für diskrete Halbleiter gilt.

In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt.

Wie viele Transistoren sind pro Chip erhältlich und wie sind sie konfiguriert?

Der Chip enthält zwei Elemente, die als Dual-N-Konfiguration angeordnet sind.

Welche Material- und Umweltnormen gelten für die Konstruktion?

Das Gerät entspricht RoHS- und den einschlägigen IEC-Materialspezifikationen.