Infineon Dual-N-Kanal-Normalpegel-Anreicherungsmodus IPG16N10S4-61 Typ N-Kanal MOSFET 100 V Zweifach N / 16 A 29 W,
- RS Best.-Nr.:
- 243-9342
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG16N10S461ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 243-9342
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG16N10S461ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IPG16N10S4-61 | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Zweifach N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 29W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Transistor-Konfiguration | Dual-N-Kanal-Normalpegel-Anreicherungsmodus | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IPG16N10S4-61 | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Zweifach N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 29W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Transistor-Konfiguration Dual-N-Kanal-Normalpegel-Anreicherungsmodus | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon MOSFET ist ein Dual N-Kanal Normal Level-Logic Level, AEC Q101 qualifiziert und 100 % Avalanche-getestet.
N-Kanal
100 % Avalanche-getestet
AEC Q101 qualifiziert
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenrückfluss
175 °C Betriebstemperatur
Grünes Produkt (RoHS-konform)