Infineon Dual-N-Kanal-Normalpegel-Anreicherungsmodus IPG16N10S4-61 Typ N-Kanal MOSFET 100 V Zweifach N / 16 A 29 W,
- RS Best.-Nr.:
- 243-9342
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG16N10S461ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 3,56
(ohne MwSt.)
€ 4,27
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 14 770 Einheit(en) mit Versand ab 01. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 0,712 | € 3,56 |
| 50 - 120 | € 0,634 | € 3,17 |
| 125 - 245 | € 0,598 | € 2,99 |
| 250 - 495 | € 0,556 | € 2,78 |
| 500 + | € 0,51 | € 2,55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 243-9342
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG16N10S461ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | IPG16N10S4-61 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Zweifach N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 29W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Dual-N-Kanal-Normalpegel-Anreicherungsmodus | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie IPG16N10S4-61 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Zweifach N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 29W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Dual-N-Kanal-Normalpegel-Anreicherungsmodus | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon MOSFET ist ein Dual N-Kanal Normal Level-Logic Level, AEC Q101 qualifiziert und 100 % Avalanche-getestet.
N-Kanal
100 % Avalanche-getestet
AEC Q101 qualifiziert
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenrückfluss
175 °C Betriebstemperatur
Grünes Produkt (RoHS-konform)
Verwandte Links
- Infineon Dual-N-Kanal-Normalpegel-Anreicherungsmodus IPG16N10S4-61 Typ N-Kanal MOSFET 100 V Zweifach N / 16 A 29 W,
- Infineon XHP Dual N-Kanal Dual, Schraub MOSFET 3300 V / 925 A Einschub
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V Zweifach N / 20
- Infineon XHP Dual N-Kanal Dual2 kA Einschub
- Infineon XHP Dual N-Kanal Dual, Schraub MOSFET 3300 V / 720 A Einschub
- Infineon FZ1000 Dual N-Kanal, Schraub MOSFET Einschub
- Infineon XHP Dual N-Kanal Dual8 kA Einschub
- Vishay SQ4946CEY Dual-N-Kanal 8-Pin SO-8