Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V Zweifach N / 20
- RS Best.-Nr.:
- 258-3883
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N10S4L22AATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N10S4L22AATMA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOSTM-T2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Zweifach N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 60W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Transistor-Konfiguration | Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOSTM-T2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Zweifach N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 60W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Transistor-Konfiguration Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon OptiMOS-T2-Power-Transistor ist ein Dual-N-Kanal-Normal-Level-Enhancement-Modus. Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C.
AEC Q101-qualifiziert
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow
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