Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V Zweifach N / 20
- RS Best.-Nr.:
- 258-3883
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N10S4L22AATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 3,60
(ohne MwSt.)
€ 4,32
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 68 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Auf Lager
- 4 948 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 1,80 | € 3,60 |
| 20 - 48 | € 1,62 | € 3,24 |
| 50 - 98 | € 1,51 | € 3,02 |
| 100 - 198 | € 1,405 | € 2,81 |
| 200 + | € 1,31 | € 2,62 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3883
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N10S4L22AATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOSTM-T2 | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Zweifach N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 60W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±16 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOSTM-T2 | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Zweifach N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 60W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±16 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon OptiMOS-T2-Power-Transistor ist ein Dual-N-Kanal-Normal-Level-Enhancement-Modus. Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C.
AEC Q101-qualifiziert
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow
Verwandte Links
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V Zweifach N / 20
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Typ N-Kanal 2 MOSFET 60 V N / 20 A 33 W, 8-Pin
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 20
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus IPG20N06S4L-11 Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 20 A 65 W TDSON
- Infineon Dualer N-Kanal mit normalem Pegel IPG20N06S4-15A Typ N-Kanal 2 MOSFET 60 V Zweifach N / 20 A 50 W, 8-Pin
- Infineon Dualer N-Kanal OptiMOSTM Typ N-Kanal 2 MOSFET & Diode 30 V / 40 A 2.5 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Dualer N-Kanal OptiMOSTM Typ N-Kanal 2 MOSFET & Diode 30 V / 40 A 2.5 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC0924NDIATMA1