Infineon Dualer N-Kanal OptiMOSTM N-Kanal 2 MOSFET & Diode 30 V / 40 A 2.5 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 244-1559
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0924NDIATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | OptiMOSTM | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Transistor-Konfiguration | Dualer N-Kanal | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC1, IEC61249-2-22 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie OptiMOSTM | ||
Pinanzahl 8 | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Transistor-Konfiguration Dualer N-Kanal | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC1, IEC61249-2-22 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist ein OptiMOS-Leistungs-MOSFET mit integrierter monolithischer Schottky-Diode und wurde für Hochleistungs-Abwärtswandler optimiert.
N-Kanal
100 % Avalanche-getestet
AEC Q101 qualifiziert
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenrückfluss
175 °C Betriebstemperatur
Grünes Produkt (RoHS-konform)
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