Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung

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RS Best.-Nr.:
258-3881
Herst. Teile-Nr.:
IPG20N06S4L11ATMA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Zweifach N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

OptiMOSTM-T2

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Transistor-Konfiguration

Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Der OptiMOS-T2-Leistungs-Transistor von Infineon ist ein Dual-Super-S08, der mehrere DPAKs ersetzen kann, um erhebliche Einsparungen auf der Leiterplatte zu erreichen und die Kosten auf Systemebene zu senken. Gleiche thermische und elektrische Leistung wie ein DPAK mit der gleichen Matrizengröße.

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

Betriebstemperatur: 175 °C

Grünes Produkt (RoHS-konform)

100 % Lawinengeprüft

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