Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung
- RS Best.-Nr.:
- 258-3881
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N06S4L11ATMA2
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 4,06
(ohne MwSt.)
€ 4,88
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- 4 996 Einheit(en) mit Versand ab 25. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 2,03 | € 4,06 |
| 20 - 48 | € 1,825 | € 3,65 |
| 50 - 98 | € 1,71 | € 3,42 |
| 100 - 198 | € 1,585 | € 3,17 |
| 200 + | € 1,48 | € 2,96 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3881
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N06S4L11ATMA2
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOSTM-T2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus | |
| Normen/Zulassungen | AEC Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOSTM-T2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus | ||
Normen/Zulassungen AEC Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der OptiMOS-T2-Leistungs-Transistor von Infineon ist ein Dual-Super-S08, der mehrere DPAKs ersetzen kann, um erhebliche Einsparungen auf der Leiterplatte zu erreichen und die Kosten auf Systemebene zu senken. Gleiche thermische und elektrische Leistung wie ein DPAK mit der gleichen Matrizengröße.
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow
Betriebstemperatur: 175 °C
Grünes Produkt (RoHS-konform)
100 % Lawinengeprüft
Verwandte Links
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V Zweifach N / 20
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Typ N-Kanal 2 MOSFET 60 V N / 20 A 33 W, 8-Pin
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 20
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus IPG20N06S4L-11 Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 20 A 65 W TDSON
- Infineon Dualer N-Kanal mit normalem Pegel IPG Typ N-Kanal 2 8-Pin
- Infineon Dualer N-Kanal OptiMOSTM Typ N-Kanal 2 MOSFET & Diode 30 V / 40 A 2.5 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Dualer N-Kanal mit normalem Pegel IPG20N06S4-15A Typ N-Kanal 2 MOSFET 60 V Zweifach N / 20 A 50 W, 8-Pin
