Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung
- RS Best.-Nr.:
- 258-3880
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N06S4L11ATMA2
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*
€ 2.735,00
(ohne MwSt.)
€ 3.280,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 01. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | € 0,547 | € 2.735,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3880
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N06S4L11ATMA2
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOSTM-T2 | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±16 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Transistor-Konfiguration | Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOSTM-T2 | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±16 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Transistor-Konfiguration Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der OptiMOS-T2-Leistungs-Transistor von Infineon ist ein Dual-Super-S08, der mehrere DPAKs ersetzen kann, um erhebliche Einsparungen auf der Leiterplatte zu erreichen und die Kosten auf Systemebene zu senken. Gleiche thermische und elektrische Leistung wie ein DPAK mit der gleichen Matrizengröße.
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow
Betriebstemperatur: 175 °C
Grünes Produkt (RoHS-konform)
100 % Lawinengeprüft
Verwandte Links
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V Zweifach N / 20
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Typ N-Kanal 2 MOSFET 60 V N / 20 A 33 W, 8-Pin
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 20
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus IPG20N06S4L-11 Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 20 A 65 W TDSON
- Infineon Dualer N-Kanal mit normalem Pegel IPG Typ N-Kanal 2 8-Pin
- Infineon Dualer N-Kanal OptiMOSTM Typ N-Kanal 2 MOSFET & Diode 30 V / 40 A 2.5 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon Dualer N-Kanal mit normalem Pegel IPG20N06S4-15A Typ N-Kanal 2 MOSFET 60 V Zweifach N / 20 A 50 W, 8-Pin
