Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 20
- RS Stock No.:
- 214-9061
- Mfr. Part No.:
- IPG20N06S4L11AATMA1
- Brand:
- Infineon
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- IPG20N06S4L11AATMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±16 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus | |
| Breite | 5.9 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, MSL1, AEC Q101 | |
| Länge | 5.15mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±16 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus | ||
Breite 5.9 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, MSL1, AEC Q101 | ||
Länge 5.15mm | ||
Höhe 1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die neue OptiMOS-T2-Serie von Infineon verfügt über eine Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren mit CO2-Reduzierung und elektrischen Antrieben. Die neue OptiMOS-T2-Produktfamilie erweitert die bestehenden OptiMOS-T- und OptiMOS-Familien. Der Dual N-Kanal Logikebene - Enhancement Mode, ist für automatische optische Inspektion (AOI) geeignet. OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte wurden entwickelt, um die Anforderungen an Energieeffizienz und Leistungsdichte zu erfüllen und zu übertreffen.
Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert
100 % Lawinenprüfung
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
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