Infineon Zweifach N BSD840N Typ N-Kanal 2, SMD OptiMOSTM2 Kleinsignaltransistoren 20 V Zweifach N / 880 mA 400 mW, 6-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 250-0526
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD840NH6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | OptiMOSTM2 Kleinsignaltransistoren | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 880mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | BSD840N | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 400mΩ | |
| Channel-Modus | Zweifach N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 750mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 400mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.26nC | |
| Transistor-Konfiguration | Zweifach N | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ OptiMOSTM2 Kleinsignaltransistoren | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 880mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie BSD840N | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 400mΩ | ||
Channel-Modus Zweifach N | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 750mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 400mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.26nC | ||
Transistor-Konfiguration Zweifach N | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Kleinsignal-Transistoren der Serie BSD840N OptiMOSTM2 von Infineon, 20 V Drain-Source-Spannung, 0,88 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSD840NH6327XTSA1
Dieses Kleinsignal-Transistor-Gerät optimostm2 ist ein Dual-N-Kanal-MOSFET, der für kompakte Signalverarbeitungs- und Schaltaufgaben in Umgebungen in Automobilqualität entwickelt wurde. Er arbeitet mit niedriger Gate-Spannung und bietet ein Gleichgewicht zwischen Einschaltwiderstand und Strombelastbarkeit für Steuerkreise in beengten Layouts. Das Gehäuse und die Konstruktion eignen sich für die Implementierung auf Board-Ebene, wo thermische Beständigkeit und vorgeschriebene Materialstandards erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 400 mΩ Rds reduzieren Leitungsverluste für Schaltvorgänge mit geringem Stromverbrauch
• Maximale Gate-Schwelle von 0,75 V ermöglicht Kompatibilität mit Niederspannungsantrieben
• Gate-Ladung von 0,26 nC minimiert den Schaltenergie- und Antriebsbedarf
• 0,88 A Dauerstrom unterstützt zuverlässig bescheidene Lastströme
• Die maximale Temperatur von 150 °C ermöglicht den Betrieb bei hohen Temperaturen
• Maximale Gate-Schwelle von 0,75 V ermöglicht Kompatibilität mit Niederspannungsantrieben
• Gate-Ladung von 0,26 nC minimiert den Schaltenergie- und Antriebsbedarf
• 0,88 A Dauerstrom unterstützt zuverlässig bescheidene Lastströme
• Die maximale Temperatur von 150 °C ermöglicht den Betrieb bei hohen Temperaturen
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Schaltung von Zweikanal-Signalen in der Automobilelektronik
• Ideal für Niederspannungs-Gate-Drive-Stromverwaltungsschaltkreise
• Verwendung mit kompakten Board-Layouts, die ein SOT-363-Gehäuse erfordern
• Kann zum Schalten von Sensorschnittstellen in rauen Umgebungen verwendet werden
• Wird für Dual-MOSFET-Anordnungen in Steuermodulen verwendet
• Ideal für Niederspannungs-Gate-Drive-Stromverwaltungsschaltkreise
• Verwendung mit kompakten Board-Layouts, die ein SOT-363-Gehäuse erfordern
• Kann zum Schalten von Sensorschnittstellen in rauen Umgebungen verwendet werden
• Wird für Dual-MOSFET-Anordnungen in Steuermodulen verwendet
Welche Gehäusetypen werden für kompakte Designs verwendet?
Er wird in einem SOT-363-Gehäuse mit sechs Stiften geliefert, das für die dichte Platzierung von Leiterplatten geeignet ist.
Welchen Automobilstandard erfüllt er für die Qualifizierung?
Er erfüllt einen Qualifizierungsstandard für Automobilkomponenten, der für diskrete Halbleiter gilt.
In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt.
Wie viele Transistoren sind pro Chip erhältlich und wie sind sie konfiguriert?
Der Chip enthält zwei Elemente, die als Dual-N-Konfiguration angeordnet sind.
Welche Material- und Umweltnormen gelten für die Konstruktion?
Das Gerät entspricht RoHS- und den einschlägigen IEC-Materialspezifikationen.
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