Infineon IAUZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 81 W, 8-Pin PQFN

RS Best.-Nr.:: 249-6897
Herst. Teile-Nr.:: IAUZ30N06S5L140ATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon IAUZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 81 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:: 249-6897
Herst. Teile-Nr.:: IAUZ30N06S5L140ATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	30A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	IAUZ
	Gehäusegröße	PQFN
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	14mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie IAUZ
	Gehäusegröße PQFN
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 14mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IAUZ30N06S5L140ATMA1

MOSFET der Serie IAUZ von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IAUZ30N06S5L140ATMA1

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Hochstromschaltvorgänge in kompakten Oberflächenmontage-Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten thermischen Bereich und ist für anspruchsvolle Umgebungen ausgelegt, in denen geringe Leitungsverluste und eine hohe Leistungsaufnahme erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• 14 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste für eine effiziente Stromversorgung
• 81 W Verlustleistung unterstützen einen dauerhaften Betrieb mit hoher Leistung
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrolliertes Schalten mit moderater Antriebsenergie
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht den Einsatz mit Gate-Drive-Schaltkreisen mit höherer Spannung
• Das PQFN-Gehäuse verbessert den Wärmeweg für oberflächenmontierte Baugruppen

Anwendungsbereich

• Geeignet für 60-V-Stromverteilungsschaltkreise im Automobilbereich
• Ideal für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Fahrzeugen
• Einsatz mit Motorantriebsstufen in der Automobilelektronik
• Kann für Schaltnetzteile verwendet werden, die eine kompakte Montage erfordern
• Geeignet für Hochtemperatur-Steuerelektronik in rauen Umgebungen

In welchem Temperaturbereich kann er im Betrieb eingesetzt werden?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt.

Wie unterstützt das Gehäuse das Wärmemanagement?

Die PQFN-Form bietet einen direkten Wärmeweg zur Leiterplatte für eine verbesserte Wärmeübertragung.

Welche Gate-Drive-Bedenken gelten für das Schalten?

Erwarten Sie eine typische Gate-Ladung von 80 nC bei der angegebenen Gate-Spannung, wobei ein Treiber erforderlich ist, der diese Ladung für schnelle Übergänge liefern kann.

Welche Befestigungsmethode ist für die Installation vorgesehen?

Er ist für die Oberflächenmontage auf Leiterplattenkonfektionen konzipiert.