Infineon IAUZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

€ 1.430,00

(ohne MwSt.)

€ 1.715,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +€ 0,286€ 1.430,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
244-1573
Herst. Teile-Nr.:
IAUZ30N10S5L240ATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IAUZ

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon-MOSFET ist ein OptiMOS-Leistungs-MOSFET für Automobilanwendungen, N-Kanal-Enhancement-Mode-Logic-Level und AEC Q101-qualifiziert.

N-Kanal

100 % Avalanche-getestet

AEC Q101 qualifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenrückfluss

175 °C Betriebstemperatur

Grünes Produkt (RoHS-konform)

Verwandte Links