Infineon IQE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 253 A 81 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:
240-6642
Herst. Teile-Nr.:
IQE065N10NM5CGATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

253A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

IQE

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.85mΩ

Durchlassspannung Vf

0.73V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.3mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon OptiMOSTM 5 100 V PQFN 3.3x3.3 Source-Down bietet 100 V und einen niedrigen RDS(on) von 6,5 mOhm. Er bietet mehrere Vorteile, wie z. B. eine höhere thermische Leistungsfähigkeit, eine höhere Leistungsdichte oder verbesserte Layout-Möglichkeiten. Darüber hinaus sind die höhere Effizienz, der geringere Bedarf an aktiver Kühlung und das effektive Layout für das Wärmemanagement Vorteile auf Systemebene.

Verbesserte PCB-Verluste

Ermöglicht höchste Leistungsdichte und Leistung

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