Infineon IQE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 310 A, 24-Pin TSDSO
- RS Best.-Nr.:
- 260-1073
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 6,65
(ohne MwSt.)
€ 7,98
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 4 980 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,325 | € 6,65 |
| 20 - 48 | € 2,96 | € 5,92 |
| 50 - 98 | € 2,795 | € 5,59 |
| 100 - 198 | € 2,59 | € 5,18 |
| 200 + | € 2,395 | € 4,79 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 260-1073
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE006NE2LM5CGSCATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 310A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Gehäusegröße | TSDSO | |
| Serie | IQE | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 310A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Gehäusegröße TSDSO | ||
Serie IQE | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 24 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie IQE von Infineon, 25 V maximale Drain-Source-Spannung, 310 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Verbesserungstransistor, der für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die einen hohen Dauerstrom und geringe Leitungsverluste erfordern, während er gleichzeitig den RoHS-Grenzwerten entspricht. Das Gerät verwendet ein 24-poliges TSDSO-Gehäuse und ist für die Integration auf Board-Ebene vorgesehen.
Merkmale und Vorteile:
• 0,75 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Hochstrombetrieb
• Die Durchlassspannung von 1 V reduziert die Verlustleistung in Leitungswegen
• Der kontinuierliche Ablassstrom von 310 A unterstützt schwere Schaltanforderungen
• Der Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C ermöglicht den Einsatz bei extremen Temperaturen
• Die 24-polige Oberflächenmontage erleichtert die Montage von Leiterplatten mit hoher Dichte
• Die Durchlassspannung von 1 V reduziert die Verlustleistung in Leitungswegen
• Der kontinuierliche Ablassstrom von 310 A unterstützt schwere Schaltanforderungen
• Der Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C ermöglicht den Einsatz bei extremen Temperaturen
• Die 24-polige Oberflächenmontage erleichtert die Montage von Leiterplatten mit hoher Dichte
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandlerstufen
• Ideal für die Stromverteilung in der Industrieelektronik
• Wird mit Motor-Antriebsstufen verwendet, die geringe Verluste erfordern
• Kann für Halbleiterschaltmodule verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Designs mit hoher Leistung
• Ideal für die Stromverteilung in der Industrieelektronik
• Wird mit Motor-Antriebsstufen verwendet, die geringe Verluste erfordern
• Kann für Halbleiterschaltmodule verwendet werden
• Geeignet für kompakte Oberflächenmontage-Designs mit hoher Leistung
Welches Gehäuse wird für die Leiterplattenmontage verwendet?
Er wird in einem TSDSO-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konfiguriert ist.
Wie wirkt sich der Kanaltyp auf das Schaltverhalten aus?
Der N-Kanal-Enhancement-Modus sorgt für einen geringen Einschaltwiderstand und eine effiziente Leitung, wenn er in die Enhancement getrieben wird.
Welche Umgebungsgrenzwerte definieren die nutzbare Temperatur?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C für einen großen Temperaturbereich ausgelegt.
Welche gesetzlichen Beschränkungen werden für Materialien eingehalten?
Die Komponente ist RoHS-konform und beschränkt bestimmte gefährliche Stoffe.
Welche Drain-Source-Spannung darf nicht überschritten werden?
Die maximal zulässige Drain-Source-Spannung beträgt 25 V.
Verwandte Links
- Infineon IQE N-Kanal 24-Pin TSDSO
- Infineon IQE N-Kanal 8-Pin WHSON
- Infineon BTS71040-4ESP Leistungsschalter-IC High-Side High-Side 22.5 mΩ 24-Pin TSDSO
- Infineon BTS71033-6ESP Leistungsschalter-IC High-Side High-Side 22.5 mΩ 24-Pin TSDSO
- Infineon BTS71220-4ESP Leistungsschalter-IC High-Side High-Side 22.5 mΩ 24-Pin TSDSO
- Infineon MOSFET MOSFET 4 mA 24-Pin TSDSO-24 70V
- Infineon IQE N-Kanal, Oberfläche MOSFET / 205 A TSON
- Infineon IQE N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 205 A TTFN