Infineon IQE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 205 A, 9-Pin WHTFN

RS Best.-Nr.:: 260-1076
Herst. Teile-Nr.:: IQE013N04LM6CGSCATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon IQE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 205 A, 9-Pin WHTFN

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RS Best.-Nr.:: 260-1076
Herst. Teile-Nr.:: IQE013N04LM6CGSCATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

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Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	205A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	IQE
	Gehäusegröße	WHTFN
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	9
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.35mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	+175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 205A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie IQE
	Gehäusegröße WHTFN
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 9
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.35mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur +175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IQE013N04LM6CGSCATMA1

MOSFET der Serie IQE von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 205 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IQE013N04LM6CGSCATMA1

Dieser N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgerät, das für Hochstromschaltungen in kompakten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich für raue Umgebungen und bietet einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand für eine effiziente Stromumwandlung. Das Gerät wird in einem WHTFN-Gehäuse mit mehreren Pins geliefert, um die thermische und stromführende Handhabung in dichten Layouts zu unterstützen.

Merkmale und Vorteile:

• Rds(on) von 1.35 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• 205 A Dauerstrom unterstützt schwere Stromschaltvorgänge
• Die Drain-Source-Spannung von 40 V ermöglicht den Einsatz in Systemen mit mittlerer Spannung
• Die Durchlassspannung von 1 V reduziert Verluste in Diodenleitpfaden
• Der Betrieb bei -55 °C bis +175 °C verlängert den Einsatz bei extremen Temperaturen

Anwendungsbereich

• Geeignet für DC/DC-Wandler in Energiemanagementsystemen
• Ideal für Hochstrom-Motorantriebsstufen in kompakten Modulen
• Wird mit Stromverteilungsarrays verwendet, die einen geringen Widerstand erfordern
• Kann für Batterieschutz und Hochstromschaltung verwendet werden

Welche Gehäusetyp wird verwendet und warum ist das relevant?

Er wird in einem WHTFN-Gehäuse geliefert, das die Oberflächenmontage erleichtert und die Wärmeableitung durch mehrere Pins unterstützt.

Wie wirkt sich die Kanalkonfiguration auf die Schaltung aus?

Das Gerät verwendet einen N-Kanal-Enhancement-Modus, der eine Low-Side-Schaltung mit geringen Gate-Drive-Anforderungen für eine effiziente Steuerung ermöglicht.

Ist es für die Einhaltung von Automobilstandards vorgesehen?

Es wird nicht angegeben, dass es den Automobilstandards entspricht, und es sollte entsprechend für den Einsatz in Fahrzeugklassen bewertet werden.