Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 241-9879
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC070N10LS5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 2,57
(ohne MwSt.)
€ 3,084
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 1 400 Einheit(en) mit Versand ab 31. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 1,285 | € 2,57 |
| 20 - 48 | € 1,10 | € 2,20 |
| 50 - 98 | € 1,045 | € 2,09 |
| 100 - 198 | € 0,965 | € 1,93 |
| 200 + | € 0,895 | € 1,79 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 241-9879
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC070N10LS5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 381A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | BSC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie BSC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS 5 von Infineon ist ein N-Kanal-MOSFET, der zu 100 % Avalanchegetestet ist. Hervorragende Wärmebeständigkeit.
Optimiert für Hochleistungs-SMPS
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Verwandte Links
- Infineon BSC Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon BSC Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC Typ N-Kanal 8-Pin SuperSO8 5 x 6 DSC
- Infineon BSC Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon BSC Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon BSC Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon BSC Typ N-Kanal 8-Pin TDSON
- Infineon BSC Typ N-Kanal 8-Pin TDSON