Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 243-9326
Herst. Teile-Nr.:: BSC0504NSIATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

€ 1.605,00

(ohne MwSt.)

€ 1.925,00

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 04. Oktober 2027

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
5000 +	€ 0,321	€ 1.605,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 243-9326
Herst. Teile-Nr.:: BSC0504NSIATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	381A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	SuperSO8 5 x 6
	Serie	BSC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6
	Serie BSC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ
	Channel-Modus N
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC0504NSIATMA1

MOSFET der BSC-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 381 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC0504NSIATMA1

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Leistungstransistor, der für Hochstromschaltungen in Niederspannungsanlagen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die eine effiziente Leitfähigkeit und eine schnelle Gate-Steuerung in einem kompakten SuperSO8-Gehäuse erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 40 V Ablasswert ermöglicht Niederspannungs-Schaltfähigkeit
• 381 A kontinuierlicher Ablassstrom für die Handhabung hoher Leistung
• 0.7 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste
• 81 W Verlustleistung unterstützt den Hochleistungsbetrieb
• 80 nC Gate-Ladung für vorhersehbare Schaltleistung
• Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht robuste Antriebsmargen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Niederspannungsstufen von DC/DC-Wandlern
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet
• Ideal für Hochstrom-Motorantriebsstufen
• Kann für Server-Stromverteilungsmodule verwendet werden
• Wird mit kompakten Netzteilen für die Oberflächenmontage verwendet

Welchen thermischen Extremen kann er im Betrieb standhalten?

Er ist für den Betrieb zwischen -55 °C und +150 °C ausgelegt.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?

Er wird in einem SuperSO8 5x6-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Wie erfüllt das Gerät die Anforderungen an den Gate-Antrieb für eine schnelle Schaltung?

Es weist eine typische Gate-Ladung von 80 nC auf, die die erforderliche Antriebsenergie für Schaltübergänge definiert.

Wie hoch ist die maximale Spannung, die zwischen Drain und Quelle blockiert werden kann?

Das Gerät ist für eine maximale Ablass-Quellenspannung von 40 V ausgelegt.

Gibt es Einschränkungen bei der Zertifizierung in Automobilqualität?

Es ist nicht spezifiziert, dass es den Zulassungen für Automobilanwendungen entspricht.